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硅表面复杂三维微结构的加工方法及其装置
无权-未缴年费

申请号:200410037771.4 申请日:2004-05-12
摘要:硅表面复杂三维微结构的加工方法及其装置,将模板固定于架上,浸入电化学刻蚀溶液,以模板作为工作电极,另在容器中设辅助电极和参比电极,启动电化学系统,将模板逐步移向硅片,进行刻蚀,刻蚀完模板离开硅片表面。由于刻蚀剂寿命缩短而只能扩散很短距离,所以在模板表面形成的刻蚀剂层极薄,以极高的分辨率保持了模板本身的复杂三维立体图形加工于硅片上。可对硅材料进行各种复杂三维微结构(如半球面、锥面等)的批量复制加工。在适当的条件下,以此体系进行硅的加工可以达到每分钟约10微米深度的速度,分辨率达0.1微米以上。
申请人: 厦门大学
地址: 361005福建省厦门市思明南路422号
发明(设计)人: 时康 张力 祖延兵 蒋利民 周勇亮 田中群
主分类号: B81C5/00
分类号: B81C5/00 C01B33/021
  • 法律状态
2010-07-28  未缴年费专利权终止IPC(主分类):B81C 5/00申请日:20040512授权公告日:20060913
2006-09-13  授权
2005-03-23  
2005-01-26  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、硅表面复杂三维微结构加工方法,其特征在于其步骤为: 1).将带有待加工结构互补结构的模板固定于固定架上; 2).将电化学刻蚀溶液注入放置有待加工的硅片的容器; 3).移动固定架,使模板浸入电化学刻蚀溶液; 4).以模板作为工作电极,另在容器中设辅助电极和参比电极,启动电化学系统; 5).将模板逐步移向硅片,开始对被加工工件进行刻蚀; 6).驱动装置不断地将模板向被硅片移动以保持刻蚀不断地进行,至刻蚀完毕,模板离开 硅片表面。
公开号  1569610
公开日  2005-01-26
专利代理机构  厦门南强之路专利事务所
代理人  马应森
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期