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声表面波设备的制造方法
无权-视为撤回

申请号:200310124482.3 申请日:2001-03-15
摘要:本发明提供了一种在单个压电基片上包含第一和第二声表面波装置的声表面波设备的制造方法,包含以下步骤:设置压电基片;沉淀第一抗蚀膜;去掉第一抗蚀膜;形成第一导电薄膜,所述第一导电薄膜的薄膜厚度与第二声表面波装置的电极薄膜厚度基本上相同;沉淀第二抗蚀膜;去掉第二抗蚀膜,所述区域不包括设置有第二声表面波装置的部分;沉淀第二导电薄膜,其薄膜厚度与第一声表面波装置的电极薄膜厚度基本上相同;和同时剥离第一抗蚀膜,第二抗蚀膜和层叠在它们上面的导电薄膜。
申请人: 株式会社村田制作所
地址: 日本京都府长冈京市
发明(设计)人: 筏克弘 坂口健二 高宫干
主分类号: H03H3/08
分类号: H03H3/08
  • 法律状态
2007-07-11  
2004-09-29  
2004-07-28  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种在单个压电基片上包含第一和第二声表面波装置的声表面波设备的制 造方法,其中所述第一和第二声表面波装置具有厚度互不相同的叉指式换能器, 所述方法包含以下步骤: 设置压电基片; 在所述压电基片的整个表面上沉淀第一抗蚀膜; 在要形成第一和第二声表面波装置的电极的区域去掉第一抗蚀膜; 在所述压电基片的整个表面上形成第一导电薄膜,所述第一导电薄膜的薄膜 厚度与第二声表面波装置的电极薄膜厚度基本上相同; 在压电表面的整个表面上沉淀第二抗蚀膜; 去掉至少要形成第一声表面波装置的电极的区域的第二抗蚀膜,所述区域不 包括设置有第二声表面波装置的部分; 使用第一和第二抗蚀膜,在第一导电薄膜上沉淀第二导电薄膜;和 通过剥离法去掉第一抗蚀膜和第二抗蚀膜,以形成第一和第二声表面波装置 的叉指式换能器。
公开号  1516339A
公开日  2004-07-28
专利代理机构  上海专利商标事务所
代理人  沈昭坤
颁证日  
优先权  2000.3.15 JP 072300/2000
国际申请  
国际公布  
进入国家日期