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半导体器件及其制造方法、层离方法、以及转移方法
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Semiconductor device and mfg. method, delamination method and transfer method

申请号:200310124242.3 申请日:2003-12-29
摘要:试验了一种用来在典型为柔性塑料膜的具有柔性的衬底上制作TFT元件的技术。当结构中用光阻挡层或反射层来防止对层离层的损伤时,难以制造透射型液晶显示器件或向下发光的发光器件。在金属膜形成在衬底上的状态下,用物理方法或机械方法分离了衬底与层离膜,且提供了包含包括金属的氧化物膜的层离层和形成在金属膜上的包含硅的膜。具体地说,制作了一种TFT,此TFT借助于在金属膜上形成包括金属的氧化物层;用热处理方法晶化氧化物层;以及在氧化物层中或在氧化物层的二个界面处进行分离而得到。
Abstract:
申请人: 株式会社半导体能源研究所
Applicant: SEMICONDUCTOR ENERGY LAB[JP]
地址: 日本神奈川县厚木市
发明(设计)人: 丸山纯矢 高山彻 大野由美子 山崎舜平
Inventor: JUNYA MARUYAMA[JP]; TORU TAKAYAMA[JP]; YUMIKO ONO[JP]
主分类号: H01L29/786
分类号: H01L29/786 H01L21/336 H01L21/00 G02F1/136
  • 法律状态
2009-09-09  授权
2006-03-01  
2004-07-28  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种半导体器件,它包含: 氧化物膜; 形成在氧化物膜上的包含氮的绝缘膜; 形成在绝缘膜上的半导体膜;以及 与氧化物膜底侧接触形成的金属氧化物层。
公开号  1516288A
公开日  2004-07-28
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司
代理人  吴立明 梁永
颁证日  
优先权  2002.12.27 JP 379578/2002
 
国别 优先权号 优先权日 类型
JP  379578/02  20021227 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
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  • 期刊对比文献
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  • 书籍对比文献
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  • 附加信息
同族专利
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