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分离方法
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Separating method

申请号:200310124240.4 申请日:2003-12-29
摘要:一种分离方法,包括步骤:依此次序形成金属膜、第一氧化物和含有氢的半导体膜;将支撑物粘接到含有该第一氧化物和该半导体膜的释放层,并从提供有该金属层的衬底通过物理方法分离粘接到该支撑物的该释放层。在分离方法中,进行热处理以便使半导体膜中含有的氢扩散,通过还原在金属膜和第一氧化物膜之间的表面边界处形成的第二氧化物来形成第三氧化物,并分离含有该第二氧化物和该第三氧化物的薄膜、含有该第二氧化物和该第三氧化物的薄膜与该金属膜之间的表面边界,或含有该第二氧化物和该第三氧化物的薄膜与该第一氧化物之间的表面边界。
Abstract:
申请人: 株式会社半导体能源研究所
Applicant: SEMICONDUCTOR ENERGY LAB[JP]
地址: 日本神奈川县厚木市
发明(设计)人: 丸山纯矢 大野由美子 高山彻 后藤裕吾 山崎舜平
Inventor: JUNYA MARUYAMA[JP]; YUMIKO ONO[JP]; TORU TAKAYAMA[JP]
主分类号: H01L21/00
分类号: H01L21/00 G02F1/136
  • 法律状态
2008-05-14  授权
2006-03-01  
2004-07-28  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种分离方法,包括: 依此次序形成金属膜、第一氧化物和含有氢的半导体膜;以及 将支撑物接合到含有该第一氧化物和该半导体膜的释放层,并通 过物理方法从提供有该金属层的衬底分离粘接到该支撑物的该释放 层; 其中进行热处理以便使该半导体膜中含有的氢扩散,通过还原在 该金属膜和该第一氧化物膜之间的表面边界处形成的第二氧化物来形 成第三氧化物,并分离含有该第二氧化物和该第三氧化物的薄膜、含 有该第二氧化物和该第三氧化物的薄膜和该金属膜之间的表面边界、 或含有该第二氧化物和该第三氧化物的薄膜和该第一氧化物之间的表 面边界。
公开号  1516234A
公开日  2004-07-28
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司
代理人  吴立明 梁永
颁证日  
优先权  2002.12.27 JP 382008/2002
 
国别 优先权号 优先权日 类型
JP  382008/02  20021227 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
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  • 期刊对比文献
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  • 附加信息
同族专利
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引用文献
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