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集硅片加热沉积于一体的化学气相沉积方法
无权-未缴年费

申请号:200310121907.5 申请日:2003-12-06
摘要:涉及一种集硅片加热沉积于一体的化学气相沉积方法。其步骤为:将硅片置于电极上,抽真空,启动硅片微区加热控制器电源,直接以硅片为加热装置,设定硅片温度,通入或加入反应物,反应物在硅片表面反应,生成产物;以硅片作为基底,使反应产物在硅片表面沉积。采用可程控硅片加热控制装置,克服了硅片作为加热器负载的缺点,采用硅片直接发热方式,不仅可操作温度范围宽(常温~1200℃)、温度控制灵活、温度变化迅速(大于200℃/S),温度控制准确(温度波动小于5℃),增强了可重复性。而且由于硅片体积小,不仅节约能源与实验空间,还可以在同一体系内放置多硅片并独立控制其各自温度,这就大大拓宽了CVD方法的灵活性。
申请人: 厦门大学
地址: 361005福建省厦门市思明南路422号
发明(设计)人: 林水潮 谢素原 江智渊 张先华 匡勤 马志杰 黄荣彬 郑兰荪
主分类号: C23C16/24
分类号: C23C16/24
  • 法律状态
2015-01-21  未缴年费专利权终止IPC(主分类):C23C 16/24申请日:20031206授权公告日:20070606终止日期:20131206
2007-06-06  授权
2005-01-26  
2004-11-17  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、集硅片加热沉积于一体的化学气相沉积方法,其特征在于其步骤为: 1)裁取所需尺寸的硅片,并置于反应装置的两电极上; 2)抽真空; 3)启动硅片微区加热控制器电源,直接以硅片为加热装置,设定硅片温度; 4)通入或加入反应物; 5)反应物在硅片表面发生化学反应,生成产物; 6)以硅片作为反应产物沉积的基底,使反应产物在硅片表面沉积; 7)关闭硅片微区加热控制器电源,关闭抽真空系统; 8)将硅片取出,对获得的沉积产物进行性能测试。
公开号  1546723
公开日  2004-11-17
专利代理机构  厦门南强之路专利事务所
代理人  马应森
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期