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具有窄间距化的内引线的半导体装置
无权-未缴年费
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Semiconductor device having narrow space down-lead

申请号:200310120172.4 申请日:2003-12-09
摘要:本发明的半导体装置,在配设在离半导体芯片的边缘的距离相对较近的位置上的外周侧凸起电极间,具有2根内周内引线,其连接在配设在离上述边缘的距离相对较远的位置上的内周侧凸起电极上。该内周内引线中的至少1根,根据内周侧凸起电极的接合位置弯曲。
Abstract: A semiconductor device of the present invention has two inner inner leads to be bonded with inner-side bump electrodes each placed at a position which is a relatively large distance apart from the edge of a semiconductor chip, between outer-side bump electrodes each placed at a position which is a relatively small distance apart from the edge of the semiconductor chip. At least one of the inner inner leads is bent in accordance with a bonding position with the inner-side bump electrode.
申请人: 夏普株式会社
Applicant: SHARP KK[JP]
地址: 日本大阪府
发明(设计)人: 丰沢健司
Inventor: KENJI TOYOSAWA[JP]
主分类号: H01L23/48(2006.01)
分类号: H01L23/48(2006.01) H01L23/522(2006.01) H01L21/60(2006.01)
  • 法律状态
2017-02-01  未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/48申请日:20031209授权公告日:20070704终止日期:20151209
2007-07-04  授权
2004-09-01  
2004-06-23  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  权利要求书 1.一种半导体装置,在半导体芯片(96)上,具有配设在离该半导体 芯片(96)的边缘的距离相对较近的位置上的边缘侧凸起电极(58a、68a、 88a、98a)和配设在离上述边缘的距离相对较远的位置上的内部侧凸起电 极(58b、68b、68c、77、78、88b、98b),形成在薄膜基板上的引线配 线(50、50a、50b、60、60a、60b、60c、70、71、80、80a、80b、100、 100a、100b)接合在上述边缘侧凸起电极(58a、68a、88a、98a)及上述 内部侧凸起电极(58b、68b、68c、77、78、88b、98b),其特征在于: 在相互邻接的上述边缘侧凸起电极(58a、68a、88a、98a)间,至少 设置2根接合在上述内部侧凸起电极(58b、68b、68c、77、78、88b、98b) 的内部侧凸起电极用引线配线(50b、60b、60c、70、71、80b、100b); 上述内部侧凸起电极用引线配线(50b、60b、60c、70、71、80b、100b) 中的至少1根,根据与上述内部侧凸起电极(58b、68b、68c、77、78、88b、 98b)的接合位置弯曲。
公开号  1324701C
公开日  2007-07-04
专利代理机构  中科专利商标代理有限责任公司
代理人  汪惠民
颁证日  
优先权  2002.12.09 JP 2002-357089
 
国别 优先权号 优先权日 类型
JP  2002-357089  20021209 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
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