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一种适用于超深亚微米领域的场效应晶体管及其制备方法
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申请号:03131044.3 申请日:2003-05-16
摘要:本发明提供了一种适用于超深亚微米领域的场效应晶体管及其制备方法。场效应晶体管,包括源漏、栅介质、栅电极、沟道和衬底,在源漏和衬底之间有垂直于沟道方向的第一介质隔离层,该第一介质隔离层顶端与沟道表面之间为源漏和沟道的连接部;在源漏底部和衬底之间有平行于沟道方向的第二介质隔离层,该第二介质层与第一介质隔离层连接成一个“L”形。场效应晶体管的制备,先采用选择性外延技术制备第一介质隔离层,再利用氢氦联合注入形成隐埋空洞层的技术来制备第二介质隔离层。本发明的场效应晶体管采用源漏被介质隔离层包裹的结构,可以地控制短沟道效应。
申请人: 北京大学
地址: 100871北京市海淀区颐和园路5号
发明(设计)人: 黎明 黄如 杨胜齐 张兴 王阳元
主分类号: H01L29/772
分类号: H01L29/772 H01L21/335
  • 法律状态
2011-01-05  专利权的转移IPC(主分类):H01L 29/772变更事项:专利权人变更前权利人:北京大学变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:100871 北京市海淀区颐和园路5号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更后权利人:北京大学登记生效日:20101129
2004-12-29  授权
2003-12-31  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种适用于超深亚微米领域的场效应晶体管,包括源漏、栅介质、栅电极、 沟道和衬底,其特征在于,在所述源漏和衬底之间有垂直于沟道方向的第 一介质隔离层,该第一介质隔离层顶端与沟道之间为源漏和沟道的连接部; 在所述源漏底部和衬底之间有平行于沟道方向的第二介质隔离层,该第二 介质层与所述第一介质隔离层连接成一个“L”形。
公开号  1450653
公开日  2003-10-22
专利代理机构  北京君尚知识产权代理事务所
代理人  余长江
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期