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利用二倍空间频率技术定义掩膜图案的方法及其装置
无权-未缴年费

申请号:03130766.3 申请日:2003-03-25
摘要:一种生成在一衬底上刻印目标图案时使用的掩膜的方法。该方法包括以下步骤:(a)确定将要刻印在一衬底上表示一电路设计的一目标图案;(b)所述目标图案按照系数为0.5缩小,以生成第一图案;以及(c)执行布尔操作,结合目标图案与所述第一图案,生成第二图案。第二图案作为目标图案被刻印于衬底上。
申请人: ASML蒙片工具有限公司
地址: 荷兰维尔德霍芬
发明(设计)人: D·范登布雷克 J·F·陈
主分类号: G03F1/00
分类号: G03F1/00 G03F7/00 H01L21/027
  • 法律状态
2011-06-01  未缴年费专利权终止IPC(主分类):G03F 1/00申请日:20030325授权公告日:20070103终止日期:20100325
2007-01-03  授权
2005-04-06  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种用于生成用于成像系统的一掩膜的方法,所述方法包括以下步 骤: (a)确定将要印制在一衬底上表示一电路设计的一目标图案; (b)通过使用小于1的系数缩所述小目标图案来生成一第一图案;以及 (c)通过执行结合所述目标图案与所述第一图案的布尔操作来生成第二 图案。
公开号  1450406
公开日  2003-10-22
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司
代理人  梁永
颁证日  
优先权  2002.3.25 US 60/366544
国际申请  
国际公布  
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