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半导体器件和半导体器件的制造方法
无权-未缴年费

申请号:03121578.5 申请日:2003-03-31
摘要:在完全耗尽型SOI晶体管等中,把阈值电压调整成正确的值,在同一半导体衬底上,形成具有不同的阈值电压的多个晶体管是困难的。在(SOI衬底104的)硅有源层(=SOI层)103上,形成虚设栅极图形111、112,然后,除去这些虚设栅极图形111、112,设置栅极沟130、132。在这些栅极沟130、132内,对硅有源层103进行刻蚀,使构成沟道区的部分的厚度变薄,调整各个晶体管的阈值电压。借助于此,就可以根据条件,提高电路设计上的自由度。
申请人: 株式会社东芝
地址: 日本东京都
发明(设计)人: 八木下淳史 斋藤友博
主分类号: H01L29/78
分类号: H01L29/78 H01L21/336
  • 法律状态
2012-06-13  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20030331授权公告日:20060104终止日期:20110331
2006-01-04  授权
2003-12-31  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种半导体器件,其特征在于,具备: 半导体衬底; 在半导体衬底上形成的绝缘膜; 在该绝缘膜上形成的硅层; 在该硅层上形成的栅极绝缘膜; 在该栅极绝缘膜上形成的栅极电极层; 和在上述硅层上形成的源极区、漏极区和沟道区, 构成上述沟道区的硅层的厚度,在100或以下。
公开号  1450658
公开日  2003-10-22
专利代理机构  北京市中咨律师事务所
代理人  陈海红 段承恩
颁证日  
优先权  2002.3.29 JP 095879/2002
国际申请  
国际公布  
进入国家日期