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微机电系统后封装工艺
无权-未缴年费

申请号:03119029.4 申请日:2003-04-30
摘要:微机电系统后封装工艺,涉及印刷电路、集成电路制造和微电子器件封装领域,在限制区内取得高温以得到更好的键合强度,而在晶元级保持低温以保护MEMS微结构和微电路,同时进一步提高封装的气密性。本发明步骤为(1)在盖板上加工与底板MEMS器件相容的凹坑;(2)沉淀电热绝缘层;(3)沿凹坑边界线沉淀内外两圈导电加热带;(4)将盖板和底板对准重合;(5)向两圈导电加热带输入电流,实现键合;还可以在导电加热带上沉淀电绝缘层后再沉淀一层键合材料用于键合。本发明键合区域温度可达1000℃,提高了键合质量,其它区域保持低温,双墙键合增加了气密性提高成品率。
申请人: 华中科技大学
地址: 430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
发明(设计)人: 刘胜 张鸿海 易新建 汪学方 陈四海
主分类号: B81C5/00
分类号: B81C5/00
  • 法律状态
2009-07-08  专利权的终止(未缴年费专利权终止)授权公告日:2005.9.28
2005-09-28  授权
2003-12-31  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种微机电系统后封装工艺,顺序包括下述步骤: (1)在盖板上对应底板微机电系统器件位置加工与其相应尺寸空间的凹坑, (2)在盖板上沉淀电热绝缘层以覆盖盖板及凹坑内表面, (3)沿凹坑边界线在盖板上沉淀内外两圈导电加热带,两圈导电加热带之间 电绝缘,其间隔为5-30微米, (4)将盖板和底板对准盖合使得凹坑刚好封装相应的微机电系统器件, (5)向两圈导电加热带分别或同时输入电流,在底板和盖板之间实现键合。
公开号  1449990
公开日  2003-10-22
专利代理机构  华中科技大学专利中心
代理人  方放
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期