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一种垂直型大功率场效应晶体管单元结构
无权-未缴年费

申请号:03116934.1 申请日:2003-05-15
摘要:本发明为一种垂直型N沟道金属-氧化物-半导体大功率场效应晶体管单元结构。采用N型硅外延片上刻蚀沟槽的方法,使场效应晶体管的栅氧层和金属钨栅电极位于硅外延层的沟槽之中,金属钨栅与硅片表面垂直,场效应晶体管导通工作状态下,电流流动的方向是从硅片底部的漏电极出发,流经反型沟道区,最终到达源电极,电流流动的方向是与硅片的表面方向垂直。
申请人: 上海集成电路研发中心有限公司 上海华虹(集团)有限公司
地址: 201203上海市浦东碧波路518号B楼303室
发明(设计)人: 徐小诚 缪炳有 陈志伟 汪激扬
主分类号: H01L29/78
分类号: H01L29/78 H01L21/336
  • 法律状态
2017-06-30  未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20030515授权公告日:20060927终止日期:20160515
2006-09-27  授权
2004-08-25  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种垂直型大功率场效应晶体管单元结构,其特征在于外延层由两层电阻率不同 的N型薄层构成,其中电阻率低的第一外延层与硅衬底相邻,第二层外延层上刻蚀有沟 槽,金属钨栅电极置于第二层外延层的沟槽之中;金属钨栅与硅片表面垂直,电流流动 的方向与硅片的表面方向垂直。
公开号  1450657
公开日  2003-10-22
专利代理机构  上海正旦专利代理有限公司
代理人  陶金龙 陆飞
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期