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铝酸锂和镓酸锂晶体的生长方法
无权-视为撤回

申请号:03116833.7 申请日:2003-05-09
摘要:一种铝酸锂和镓酸锂晶体的生长方法,其特点是采用碳酸锂(Li2CO3)和氧化铝(Al2O3)或氧化镓(Ga2O3)为原料,按照一定比例配料,压制成块,直接装入坩埚,坩埚密封后置于钟罩式真空电阻炉内,用垂直温梯法生长晶体。原料中采用碳酸锂(Li2CO3),使得密封坩埚内是含CO2和O2的局部氧化气氛,这样既避免了炉内氧化气氛对发热体和保温材料的氧化污染,又有效克服了熔体组分因为还原气氛而挥发的问题,可以生长出作为InN-GaN基蓝光衬底的大面积的铝酸锂和镓酸锂晶体。
申请人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
地址: 201800上海市800-211邮政信箱
发明(设计)人: 徐军 杨卫桥 周圣明 彭观良 司继良 李红军 周国清
主分类号: C30B29/24
分类号: C30B29/24 C30B11/00
  • 法律状态
2006-01-25  
2003-12-31  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种铝酸锂和镓酸锂晶体的生长方法,其特征在于它是使用碳酸 锂(Li2CO3)和氧化铝(Al2O3)或氧化镓(Ga2O3)为原料,按照一定比例 配料,压制成块,直接装人坩埚,坩埚密封后置入钟罩式真空电阻炉内, 采用垂直温梯法生长的,生长过程中密封坩埚内是含CO2和O2的局部氧 化气氛。
公开号  1450208
公开日  2003-10-22
专利代理机构  上海新天专利代理有限公司
代理人  张泽纯
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期