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一种可用于平面显示的场致发射纳米材料
无权-未缴年费

申请号:03116285.1 申请日:2003-04-10
摘要:本发明涉及一种可用于平面显示的场致发射纳米材料,具体为Ag和TCNQ按1∶1化学计量比生成的Ag(TCNQ)纳米线。该材料可采用真空条件下的饱和蒸气反应法制备获得,生成的Ag(TCNQ)纳米线(晶須)基本上垂直于基板。为了降低场发射阈值,可在晶須上用常规真空镀膜法,再覆盖一层纳米厚度的金属或氟化锂薄层。
申请人: 复旦大学
地址: 200433上海市邯郸路220号
发明(设计)人: 陈国荣 莫晓亮
主分类号: H01J1/304
分类号: H01J1/304 H01J9/02 B82B3/00
  • 法律状态
2012-06-27  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01J 1/304申请日:20030410授权公告日:20060705终止日期:20110410
2006-07-05  授权
2003-12-31  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种可用于平面显示的场致发射纳米材料,其特征在于由Ag和有机材料TCNQ在 1∶1化学计量配比条件下生成的Ag(TCNQ)配合物纳米线。
公开号  1450580
公开日  2003-10-22
专利代理机构  上海正旦专利代理有限公司
代理人  陆飞
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期