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应用于MOS场效应管的栅电介质材料氮铝酸锆薄膜及制法
无权-未缴年费

申请号:03113462.9 申请日:2003-05-15
摘要:本发明提供了一种应用于金属-氧化物-半导体场效应管的高介电系数栅电介质材料氮铝酸锆及其薄膜的制备方法。本发明的技术方案是利用脉冲激光沉积技术,在1250℃温度下,把氧化锆和氧化铝粉末经球磨混和后,再冷压成型成圆片然后烧结达6小时得铝酸锆陶瓷靶材,在生长室中引入氮气,使氮元素在薄膜中的原子百分比浓度为6%,氮原子的结合能是404.1eV,高氧化态,进而可得氮铝酸锆薄膜。该材料的性能指标已经达到国际上同行得到的高介电栅电介质材料研究所达到的较高水平,同时也可满足功耗要求不高的半导体中场效管的实际应用要求。
申请人: 南京大学
地址: 210093江苏省南京市汉口路22号
发明(设计)人: 朱俊 刘治国
主分类号: H01L29/786
分类号: H01L29/786 H01L21/283 H01L21/314
  • 法律状态
2010-07-28  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 29/786申请日:20030515授权公告日:20050629
2005-06-29  授权
2003-12-31  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种应用于金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管的高介电系数栅电介质材料氮铝 酸锆(ZrAlOXNY)薄膜,其特征在于高纯氮气氛中(99.999%)用脉冲激光剥离烧结制成的 铝酸锆(ZrAlO3)陶瓷靶,在硅衬底上沉积而制成非晶态的氮铝酸锆(ZrAlOXNY)薄膜, 在薄膜中氮元素的原子个数百分比浓度为6%,氮原子的结合能是404.1eV,高氧化态,从 而制得分子式为ZrAlOXNY的氮铝酸锆然后沉积在硅衬底上得薄膜,该薄膜的介电系数为 18.2,等效氧化物厚度小于1.1nm,在1伏电压下,其漏电流小于30mA/cm2。
公开号  1450661
公开日  2003-10-22
专利代理机构  南京苏高专利事务所
代理人  阙如生
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期