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半导体器件及其制造方法
无权-未缴年费

申请号:03110587.4 申请日:2003-04-11
摘要:形成了满足以下三个要求,“很好地抵挡刻蚀并能够阻止刻蚀来保护半导体薄膜被刻蚀剂刻蚀掉”,“在为吸收进行的热处理中允许杂质元素自由移动”,及“具有优秀的可重复性”的阻挡层,阻挡层用于吸收半导体薄膜中的杂质。阻挡层为氧化硅薄膜,阻挡层中所含的低氧化物比率为18%或更高。
申请人: 株式会社半导体能源研究所 夏普公司
地址: 日本神奈川县厚木市
发明(设计)人: 仲泽美佐子 一条充弘 浜谷敏次 大沼英人 牧田直树
主分类号: H01L21/00
分类号: H01L21/00
  • 法律状态
2015-05-27  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 21/00申请日:20030411授权公告日:20071010终止日期:20140411
2007-10-10  授权
2005-06-22  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种制造半导体器件的方法,包括: 在绝缘体上形成第一层无定形半导体薄膜; 在第一层无定形半导体薄膜中加入一种加速结晶的元素; 将薄膜进行第一次热处理以形成一层结晶半导体薄膜; 在结晶半导体薄膜上形成一个阻挡层; 在阻挡层上形成第二层无定形半导体薄膜;并 通过第二次热处理吸收结晶半导体薄膜内所含的结晶加速元素, 其中阻挡层为一层含低氧化物的薄膜。
公开号  1450594
公开日  2003-10-22
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司
代理人  吴立明 梁永
颁证日  
优先权  2002.4.11 JP 109305/2002
国际申请  
国际公布  
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