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半导体器件及其制造方法和功率放大器模块
无权-视为撤回

申请号:03110562.9 申请日:2003-04-10
摘要:以低成本实现功率附加效率和功率增益高且能降低功率增益的温度依存性的功率放大器。因此,在使用了形成在半导体衬底上,具有平面形状为环状的发射极顶部异质结双极晶体管的半导体器件中,采用了只在环状发射极基极结区域的内侧存在基极的构造。这样,不使用制造步骤复杂的集电极顶部构造,能降低单位发射极面积的基极集电极结容量,结果能实现功率附加效率和功率增益高、适合于半导体器件的功率放大器。
申请人: 株式会社日立制作所
地址: 日本东京
发明(设计)人: 大部功 田上知纪 草野忠四郎 梅本康成 黑川敦 望月和浩 大西正已 松本秀俊
主分类号: H01L29/737
分类号: H01L29/737 H01L29/205 H01L21/331
  • 法律状态
2008-05-28  发明专利申请公布后的视为撤回
2005-07-06  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种半导体器件,使用形成在半导体衬底上且具有平面形状 为环状的发射极基极结区域的双极晶体管,其特征在于: 所述半导体衬底是在表面具有(100)(±5度)面的闪锌矿型半 导体衬底,所述双极晶体管是发射极顶部型异质结双极晶体管,并且 该异质结双极晶体管的基极存在于所述环状的发射极基极结区域的内 侧。
公开号  1450652
公开日  2003-10-22
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人  王永刚
颁证日  
优先权  2002.4.10 JP 107286/2002;2003.3.10 JP 63047/2003
国际申请  
国际公布  
进入国家日期