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低阻抗去耦装置
有权
权利转移
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申请号:03110385.5 申请日:2003-04-08
摘要:一种用于在数字电路中去耦高频噪声波的去耦装置,其形成为线装置,包括一部分的半导体衬底,在半导体衬底上形成的作为栅极氧化膜的绝缘膜,以及在绝缘膜上形成的作为门电极的互连线。互连线与半导体衬底之间的线电容为100pF或更大,因此,该去耦装置能够有效地去耦开关器件产生的10到100GHz频率范围内的电磁噪声波。
申请人: 日本电气株式会社
地址: 日本东京
发明(设计)人: 中野隆 远矢弘和
主分类号: H01L23/552
分类号: H01L23/552 H01L27/04 H01L21/822
  • 法律状态
2014-12-24  专利权的转移IPC(主分类):H01L 23/552变更事项:专利权人变更前权利人:日本电气株式会社变更后权利人:联想创新有限公司(香港)变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:中国香港登记生效日:20141204
2006-08-16  授权
2003-12-31  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种在半导体电路中形成的去耦装置,包括: 半导体衬底; 在所述半导体衬底上形成的绝缘膜;以及 在所述绝缘膜上形成的互连线,其中: 所述互连线与所述半导体衬底之间的线电容被设为一个值,使得 所述去耦装置能够有效地去耦所述半导体电路中产生的电磁噪声波。
公开号  1450637
公开日  2003-10-22
专利代理机构  中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人  穆德骏 袁炳泽
颁证日  
优先权  2002.4.8 JP 105186/2002
国际申请  
国际公布  
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