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等离子加工方法和设备及用于等离子加工的托架
无权-未缴年费

申请号:03109545.3 申请日:2003-04-09
摘要:提供一种等离子加工方法和设备及等离子加工托架,其能够提高基底的温度可控制能力。如果真空室由泵抽空同时通过气体供应部件把特定的气体引入真空室,并且通过线圈使用高频电源把高频电力施加于线圈并同时把真空室的内部维持至特定的压力,然后在真空室产生等离子体,而且放在基底电极上的基底能够进行等离子加工。在这时,通过在基底电极和基底之间设有粘合片,能够提高基底的温度可控制能力。
申请人: 松下电器产业株式会社
地址: 日本大阪府
发明(设计)人: 奥村智洋 新田敏也
主分类号: H01L21/302
分类号: H01L21/302 H01L21/3065 H01L21/205
  • 法律状态
2012-06-27  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 21/302申请日:20030409授权公告日:20071017终止日期:20110409
2007-10-17  授权
2005-06-08  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种等离子加工方法,其包括: 抽空真空室的内部并把气体供应至真空室,并在真空室中产生等离子体,同时把真空室内部控制至特定的压力;和 对真空室内基底电极上放置的基底或基底上的薄膜进行处理,同时通过粘合片在基底与基底电极之间进行热交换,所述粘合片放置在基底电极与基底之间。
公开号  1450604A
公开日  2003-10-22
专利代理机构  中科专利商标代理有限责任公司
代理人  刘晓峰
颁证日  
优先权  2002.4.9 JP 2002-106164
国际申请  
国际公布  
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