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半导体装置
有权
权利转移
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申请号:03109521.6 申请日:2003-04-08
摘要:在包括半导体元件,覆盖半导体的电绝缘盖,以及分别电连接到半导体元件的至少第一和第二导电端子的半导体装置中,第一导电端子具有第一端子凸起从盖的第一表面突出并且包括第一终止端和第一根源端,第二导电端子具有第二端子凸起从盖的第二表面突出并且包括第二终止端和第二根源端,在沿着平行于突出方向的虚平面而获得的断面图中,盖具有盖凸起和盖凹槽中至少一个,盖凸起突出到高于第一和第二终止端高度的高度,盖凹槽的底部相对于盖的第一和第二表面凹陷。
申请人: 株式会社日立制作所
地址: 日本东京
发明(设计)人: 石川勝美 伊君高志 豊田瑛一 岡松茂俊 黑须俊树 森睦宏 齋藤隆一 関根茂树 加藤修治
主分类号: H01L25/00
分类号: H01L25/00 H01L23/48 H01L23/02
  • 法律状态
2015-02-11  专利权的转移IPC(主分类):H01L 25/00变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社日立制作所变更后权利人:株式会社日立功率半导体变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本茨城县登记生效日:20150120
2007-09-19  授权
2003-12-31  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种半导体装置,包括半导体元件(29,291-294,411-416, 421-426),覆盖半导体的电绝缘盖(30,31),以及分别电连接到半 导体元件(29,291-294,411-416,421-426)的至少第一和第二导电 端子(21-23),其特征在于, 第一导电端子具有第一端子凸起,其从盖的第一表面在突出方向 上突出并且包括沿着第一表面的第一终止端和第一根源端,第二导电 端子具有第二端子凸起,其从盖的第二表面在突出方向上突出并且包 括沿着第二表面的第二终止端和第二根源端,并且在沿着通过第一和 第二端子凸起并平行于突出方向延伸的虚平面而获得的半导体装置横 断面图中,盖具有盖凸起(111-115)和盖凹槽(121-123)中至少一 个,盖凸起相对于盖的第一和第二表面在突出方向上突出到高于第一 和第二终止端高度的高度,盖凹槽的底部相对于盖的第一和第二表面 在突出方向上凹陷。
公开号  1450640
公开日  2003-10-22
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人  王永刚
颁证日  
优先权  2002.4.8 JP 104955/2002
国际申请  
国际公布  
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