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电光装置、半导体装置及它们的制造方法和投影装置与电器
无权-视为放弃

申请号:03108865.1 申请日:2003-03-27
摘要:本发明旨在提供能改善设有厚度不同的半导体层的电光装置与半导体装置中的半导体层的形状,进行高成品率制造的电光装置与半导体装置的制造方法。本发明的制造方法包括:将在支持基片10上隔着绝缘膜12形成的单晶硅层(半导体层)206以预定的平面形状进行图案制作,然后将所述半导体层206分割为多个半导体区域210、220的图案制作工序;在通过所述图案制作工序形成的所述半导体区域210、220中,将第一半导体区域210的半导体层201薄层化到预定半导体层厚的薄层化工序。
申请人: 精工爱普生株式会社
地址: 日本东京都
发明(设计)人: 安川昌宏
主分类号: H01L21/84
分类号: H01L21/84 G02F1/136
  • 法律状态
2010-02-03  专利权的视为放弃
2003-12-31  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种设有基片及在该基片上隔着绝缘膜形成的半导体层的、 所述半导体层分割为不少于两个厚度不同的半导体区域的电光装置的 制造方法,其特征在于: 包括通过将所述半导体层形成预定的平面形状的图案,将所述半 导体层分割为多个半导体区域的图案制作工序;以及 将通过所述图案制作工序形成的所述半导体区域中不少于一个 区域的半导体层薄层化到预定的半导体层厚的薄层化工序。
公开号  1450631
公开日  2003-10-22
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司
代理人  杨凯 叶恺东
颁证日  
优先权  2002.3.28 JP 91626/2002;2003.2.3 JP 25871/2003
国际申请  
国际公布  
进入国家日期