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半导体存储器
无权-视为撤回

申请号:03103743.7 申请日:2003-02-18
摘要:存储单元(1)由读出用存取晶体管(6)、恢复用存取晶体管(7)和存储电容器(8)构成。读出存取晶体管按照读出字线(SWL)上的信号使存储电容器与读出位线(SBL)耦合。恢复存取晶体管按照恢复字线(RWL)上的信号使存储电容器与恢复位线(RBL)耦合。存储电容器的电荷经读出位线传送至读出放大器(2),经恢复放大器(3)和恢复存取晶体管将读出放大器的读出数据传送至原来的存储电容器上。使读出放大器的输出信号线与读出和恢复位线电隔离。以此缩短半导体存储器的存取时间。
申请人: 三菱电机株式会社
地址: 日本东京都
发明(设计)人: 月川靖彦 有木卓弥 谷田进 丸山由纪子
主分类号: G11C11/34
分类号: G11C11/34
  • 法律状态
2007-04-18  
2003-12-31  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种半导体存储器,其特征在于: 包括排列成行列状的多个存储单元,各上述存储单元包含用于存 储信息的电容器以及共同与上述电容器的一个电极耦合的第1和第2 存取晶体管, 还包括: 与各上述存储单元行对应的配置,分别与对应行的存储单元的第 1存取晶体管耦合,选择时将对应行的存储单元的第1存取晶体管驱 动至导通状态的多条第1字线; 与各上述存储单元行对应地配置,分别与对应行的存储单元的第 2存取晶体管耦合,选择时将对应行的存储单元的第2存取晶体管驱 动至选择状态的多条第2字线; 与各上述存储单元列对应地配置,分别与对应列的存储单元的第 1存取晶体管耦合,各自经对应列的选择存储单元的第1存取晶体管 传送被传递的数据的多条第1位线; 与各上述存储单元列对应地配置,分别与对应列的存储单元的第 2存取晶体管耦合,各自向对应列的存储单元传送写入数据的多条第 2位线; 与上述多条第1位线对应地配置,激活时各自检测并放大对应的 第1位线的数据的多个读出放大器;以及 与上述多条第2位线和上述多个第1读出放大器对应地配置,激 活时至少闩锁对应的第1读出放大器的放大数据并且根据该闩锁信号 驱动对应的第2位线的多个恢复电路。
公开号  1450559
公开日  2003-10-22
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司
代理人  刘宗杰 叶恺东
颁证日  
优先权  2002.4.11 JP 109462/2002
国际申请  
国际公布  
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