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闪存的制造方法
无权-未缴年费
著录变更

申请号:03100295.1 申请日:2003-01-09
摘要:一种闪存的制造方法,此方法于基底上依序形成衬层与罩幕层后,图案化罩幕层以形成开口,并移除开口所暴露的衬层。于开口底部形成穿隧介电层后,于开口的侧壁形成顶部低于罩幕层表面的浮置栅极。于基底中形成源极区后,于开口内形成栅间介电层并形成填满开口的控制栅极。移除罩幕层后,于基底上形成栅介电层并分别于浮置栅极、控制栅极的侧壁形成间隙壁。于浮置栅极与控制栅极的侧壁形成选择栅极后,于选择栅极一侧的基底中形成漏极区。
申请人: 力晶半导体股份有限公司
地址: 台湾省新竹科学工业********(隐藏)
发明(设计)人: 张格荥 许正源
主分类号: H01L21/8239
分类号: H01L21/8239 H01L21/8246
  • 法律状态
2012-03-21  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 21/8239申请日:20030109授权公告日:20071003终止日期:20110109
2010-12-01  专利权人的姓名或者名称、地址的变更IPC(主分类):H01L 21/8239变更事项:专利权人变更前:力晶半导体股份有限公司变更后:力晶科技股份有限公司变更事项:地址变更前:中国台湾新竹科学工业园区力行一路12号变更后:中国台湾新竹科学工业园区
2007-10-03  授权
2004-09-29  
2004-07-28  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种闪存的制造方法,其特征在于:该方法包括下列步骤: 提供一基底,该基底已形成一隔离结构,该隔离结构定义出一主动区; 于该基底的该主动区上形成一衬层; 于该基底上形成一罩幕层; 于图案化该罩幕层以形成一开口; 移除该开口所暴露的该衬层; 于该开口底部形成一穿隧介电层; 于该开口的侧壁形成一浮置栅极,且该浮置栅极的顶部低于该罩幕层 表面; 以该浮置栅极为罩幕,于该开口底部的该基底中形成一源极区; 于该开口内形成一栅间介电层; 于该基底上形成填满该开口的一控制栅极; 移除该罩幕层; 于该基底上形成一栅介电层并于该浮置栅极、该控制栅极的侧壁形成 一间隙壁; 于该浮置栅极与该控制栅极的侧壁形成一选择栅极;以及 于该选择栅极一侧的该基底中形成一漏极区。
公开号  1516269A
公开日  2004-07-28
专利代理机构  北京集佳知识产权代理有限公司
代理人  王学强
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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