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氮化镓基发光二极管的垂直组件结构及其制造方法
无权-视为撤回

Vertical component structure of gallium nitride base light-emitting diode and its making method

申请号:03100249.8 申请日:2003-01-08
摘要:本发明涉及一种氮化镓基发光二极管的垂直组件结构及其制造方法,主要系利用一具有光罩的基板单元磊晶沉积一多层磊晶结构,并由光罩处分离基板单元与多层磊晶结构;其中,该多层磊晶结构,在取出后,可于底部设置一金属反射层,且藉由金属反射层可黏合一导电基板,并可在多层磊晶结构的上表面及导电基板的底部分别设置P/N电极;藉此,以构成LED的垂直组件结构。
Abstract: The invention relates to a gallium nitride-based LED's vertical component structure and making method, mainly using a base plate unit with a light cover to build crystal and deposit a multilayer crystal-built structure, separating the base plate unit from the multilayer crystal-built structure in the light cover positon; wherein, after taking out the multilayer crystal-built structure, able to set a metal reflecting layer at the bottom of the multilayer crystal-built structure, able to glue a conductive base plate by the metal reflecting layer, and able to set P/N electrodes on the top surface of the multilayer crystal-built structure and at the bottom of the conductive base plate, respectively; thus, composing the vertical component structure.
申请人: 炬鑫科技股份有限公司
Applicant: JUXIN SCIENCE & TECHNOLOGY CO[CN]
地址: 台湾省台北市复兴南********(隐藏)
发明(设计)人: 洪详竣
Inventor: HONG XIANGJUN[CN]
主分类号: H01L33/00
分类号: H01L33/00
  • 法律状态
2007-01-10  
2004-09-29  
2004-07-28  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种氮化镓基LED垂直组件结构的制造方法,可包含以下的步 骤: (a)成长一缓冲层的步骤,系在蓝宝石(sapphire)基板上形成一 缓冲层; (b)形成数道光罩的步骤,接续步骤(a),在缓冲层上形成数道光 罩,以预先制成一基板单元; (c)成长多层磊晶结构的步骤,接续步骤(b),在基板单元上接续 磊晶沉积一具有活性层的多层磊晶结构; (d)取出多层磊晶结构的步骤,接续步骤(c),将基板单元与多层 磊晶结构置于治具中,且多层磊晶结构的上表面黏固于治具的上固 定板,基板的下表面黏固于治具的下固定板,当两固定板对基板单 元与多层磊晶结构施力作用时,基板单元可因子道光罩所形成的结 构脆弱点而被顺利剥离,并单独取出多层磊晶结构; (e)设置金属反射层的步骤,接续步骤(d),清除多层磊晶结构底 部所残余的光罩,并将多层磊晶结构的底部研磨呈镜面,以镀上一 金属反射层; (f)设置导电基板的步骤,接续步骤(e),将导电基板与金属反射 层加热加压,使导电基板与金属反射层相黏合,而固设导电基板; (g)设置P/N电极的步骤,接续步骤(f),分离治具后,多层磊晶 结构的上表面可设置P型电极,且导电基板的底部可设置N型电极; 藉此,以构成一氮化镓基(GaN-based)LED的垂直组件结构。
公开号  1516294A
公开日  2004-07-28
专利代理机构  中国商标专利事务所有限公司
代理人  万学堂
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  03100249  20030108 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
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E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
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  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 附加信息
同族专利
 
引用文献
 
被引用文献
CN101996943ACN102064250ACN102064251A