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覆晶封装结构
无权-届满

申请号:02252388.X 申请日:2002-10-22
摘要:本实用新型涉及一种覆晶封装结构,此覆晶封装结构利用激光开孔或是电浆蚀刻的垂直方向开孔加工制程,可以形成高分辨率精确对准的开口以暴露出基板的焊垫以及晶圆上的焊垫下金属层,可形成细间距高密集度的焊接凸块,此外,在基板上使用高可靠度屏蔽层与非感光性介电层以及在晶圆上使用非感光性介电层,不但可保护基板上的电路,亦可取代传统基板与晶圆进行覆晶封装结合时所用的传统构装灌胶混合物或覆晶填充(Underfill)物,因而避免传统覆晶封装制程因使用覆晶填充而引入空孔(Void)造成结构可靠度降低的问题。
申请人: 威盛电子股份有限公司
地址: 台湾省台北县新店市中正路533号8楼
发明(设计)人: 何昆耀 宫振越
主分类号: H01L23/48
分类号: H01L23/48 H01L23/00
  • 法律状态
2012-12-26  专利权有效期届满IPC(主分类):H01L 23/48申请日:20021022授权公告日:20031022期满终止日期:20121022
2003-10-22  授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种覆晶封装结构,其特征在于,该结构至少包含: 一基板,该基板表面包含一电路迹线结构(Trace),而该电路迹线 结构上有数个凸块焊垫; 一屏蔽层(Mask),该屏蔽层位于该基板上覆盖住该电路迹线结构 并暴露出该些凸块焊垫; 一第一非感光性介电层,该第一非感光性介电层覆盖住该屏蔽层 并暴露出该些凸块焊垫; 一芯片,该芯片主动面上具有数个焊接凸块; 一第二非感光性介电层覆盖该芯片的主动面并暴露出该些焊接凸 块;及 其中该数个凸块焊垫与该数个焊接凸块焊接结合以电性连接,而 该第一非感光性介电层与该第二非感光性介电层彼此接触结合并填满 该芯片与该基板之间的空间。
公开号  2582177
公开日  2003-10-22
专利代理机构  中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人  陈肖梅 文琦
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期