搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

薄膜体声波谐振器及其制造方法
无权-未缴年费

申请号:02157838.9 申请日:2002-12-20
摘要:一种薄膜体声波谐振器(FBAR)包括在衬底上的绝缘层以防止信号传输到衬底。该FBAR包括与激活区相对应的牺牲层部分以便调整谐振频带并提高谐振频带的传输增益,部分刻蚀的部分膜层的厚度小于该膜层的其他部分。形成该FBAR的方法包括形成由多晶硅制成的牺牲层、使用干刻蚀过程形成气隙以及形成通孔。该方法防止在现有技术中的气隙形成过程中产生的结构问题以及提供可控制的通孔的位置和数量。
申请人: 三星电机株式会社
地址: 韩国京畿道
发明(设计)人: 张济旭 鲜于国贤
主分类号: H03H9/25
分类号: H03H9/25 H03H3/08
  • 法律状态
2011-03-09  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H03H 9/25申请日:20021220授权公告日:20060111终止日期:20100120
2006-01-11  授权
2003-12-31  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种薄膜体声波谐振器,具有与预定频率信号谐振的激活区, 包括: 衬底; 在所述衬底上形成的绝缘层; 在所述绝缘层上形成的并具有气隙的薄膜支撑层; 在所述薄膜支撑层上形成的膜层; 在所述膜层上形成的第一电极; 在所述第一电极层上形成的压电层;以及 在所述压电层上形成的第二电极。
公开号  1450719
公开日  2003-10-22
专利代理机构  中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人  谢丽娜 谷惠敏
颁证日  
优先权  2002.4.11 KR 19825/2002
国际申请  
国际公布  
进入国家日期