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形成具有自我对准的金属氧化物半导体晶体管的方法
无权-视为撤回

申请号:02146952.0 申请日:2002-10-28
摘要:本发明提供一种形成一具有自我对准及硅化金属层覆盖的基极的金属氧化物半导体晶体管的方法。本方法主要是沉积一具有选择性的介电层,比如复晶硅锗于基极的上端,以增加表面积。然后,在其表面形成一硅化金属层以降低电阻值。因此,所形成的基极较传统方法所形成的有较大的接触面积且更易于与导线连接,故可增进金属氧化物半导体晶体管的效率。此基极具有较大的表面积与较低的电阻值,故此方法适合用于当集成电路尺寸越来越小的制程中。
申请人: 联华电子股份有限公司
地址: 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号
发明(设计)人: 张鼎张 郑晃忠 杨正杰
主分类号: H01L21/28
分类号: H01L21/28 H01L21/336
  • 法律状态
2005-07-13  
2003-12-31  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种增加基极表面积的方法,其特征在于,至少包含下列步骤: 提供一结构,该结构至少包含一底材,在该底材上至少包含一基极氧化 层,一基极位于该基极氧化层上,该底材内至少包含一轻掺杂集电极及一轻 掺杂发射极; 形成一第一介电层以覆盖该底材、该基极氧化层、该基极、该轻掺杂集 电极、与该轻掺杂发射极; 蚀刻该第一介电层以裸露出该基极的一部份区域; 选择性沉积一第二介电层以覆盖于该基极的该部份区域,其中该第二介 电层将该基极的该部分区域包覆在其中;以及 以该第二介电层为一幕罩,蚀刻部份该第一介电层以裸露出该轻掺杂集 电极与该轻掺杂发射极,部份剩余在该基极表面的该第一介电层则作为该基 极的一侧壁。
公开号  1450602
公开日  2003-10-22
专利代理机构  上海专利商标事务所
代理人  任永武
颁证日  
优先权  2002.4.8 US 10/117,043;2001.10.31 US 60/336,383
国际申请  
国际公布  
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