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产生单中子微束的方法和装置
无权-未缴年费

申请号:02138495.9 申请日:2002-10-23
摘要:本发明提出了产生单中子微束的方法和装置,利用一定能量的荷电粒子在穿过特殊的靶物质时可以产生中子的特点[如11B(p,n)11C反应和94Be(α,n)12C反应],在现有的荷电粒子加速装置和微束系统后面加上中子产生靶,进而获得单中子。本发明在粒子与生物体相互作用的质量、电荷、能量生物学效应的研究中有非常重要的意义。另外,由于具有定位发射单个中子的特性,其在核物理与基本粒子的研究领域也很有意义。
申请人: 中国科学院等离子体物理研究所
地址: 230001安徽省合肥市科学岛10号
发明(设计)人: 吴瑜 余增亮 王绍虎 李军 陈斌
主分类号: H05H3/06
分类号: H05H3/06
  • 法律状态
2006-12-20  
2005-08-17  授权
2003-12-31  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、产生单中子微束的方法,其特征在于通过荷电粒子加速装置 加速带电粒子如质子和氦离子,通过微束系统获得束斑为微米 量级的极弱束流后,再通过中子产生靶,就可以产生既能够控 制中子个数又能使中子的运动方向比较固定的单中子微束。
公开号  1450848
公开日  2003-10-22
专利代理机构  合肥华信专利事务所
代理人  余成俊
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期