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定义低介电常数介电层的方法
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申请号:02126321.3 申请日:2002-07-19
摘要:一种定义低介电常数介电层的方法。直接暴露在高能量流下来定义低介电常数介电层,而不需要使用任何的光阻层,借以使低介电常数介电层暴光的部分固化,而变的不溶于显影溶液中,低介电常数介电层未曝光的部分则会溶解在显影溶液中,并将会在显影步骤中被移除,组件的效能与可靠度均可因此得到改善,且可以简化工艺步骤。
申请人: 联华电子股份有限公司
地址: 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号
发明(设计)人: 张鼎张 刘柏村 许钲宗
主分类号: H01L21/027
分类号: H01L21/027 G03F7/00
  • 法律状态
2006-05-24  授权
2004-09-15  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种定义低介电常数介电层的方法,其特征是,该方法包括下 列步骤: 提供一基底; 用旋涂的方式形成一低介电常数介电层于该基底上; 提供具有一图案的一光罩; 直接在该低介电常数介电层上使用一高能量流,以选择性的固化 该低介电常数介电层而不需要使用一光阻层,其中该光罩是被使用来 将该图案转换到该低介电常数介电层上的; 通过使用一显影液来进行一显影步骤,其中该低介电常数介电层 的一部分会被暴露在高能量流下并被固化,因此不溶于该显影液中, 而该低介电常数介电层未曝光的部分则会溶解在该显影液中;以及 在显影步骤以后,进行一道烘烤步骤以减少水气的吸收。
公开号  1450597
公开日  2003-10-22
专利代理机构  北京集佳专利商标事务所
代理人  王学强
颁证日  
优先权  2002.4.9 US 10/120,274
国际申请  
国际公布  
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