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一种减小霍尔器件失调电压的方法
无权-视为撤回

申请号:02116445.2 申请日:2002-04-05
摘要:一种低失调电压的砷化镓霍尔器件的制备工艺方法,在基片上蒸镀氧化硅形成器件图形,然后再用离子注入技术在图形中形成高浓度有源区,最后蒸镀电极构成霍尔器件的芯片。本发明所述的工艺图形精确,各向同性,由此制备的霍尔器件失调电压很小。
申请人: 北京华源科半光电子科技有限责任公司
地址: 100083北京市海淀区清华东路肖庄林业大学院内中科院半导体所
发明(设计)人: 郑一阳 韩海 景士平 梁平
主分类号: H01L43/14
分类号: H01L43/14
  • 法律状态
2008-04-16  发明专利申请公布后的视为撤回
2005-06-01  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种具有低失调电压的离子注入型砷化镓霍尔器件芯片的制备工艺方 法,其特征在于: (1)在砷化镓基片上有选择地蒸镀氧化硅形成霍尔器件的图形; (2)用离子注入方法在图形中注入离子构成高浓度有源区; (3)蒸镀金属电极。
公开号  1450672
公开日  2003-10-22
专利代理机构  
代理人  
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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