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IC浅沟渠隔绝的方法
无权-未缴年费
权利转移

申请号:02106273.0 申请日:2002-04-08
摘要:一种IC浅沟渠隔绝的方法,提供一半导体基底,并蚀刻半导体基底以形成一沟槽;于沟槽内侧形成一衬氧化层,且以氮气电浆于衬氧化层的表面上形成一氮化表面;对半导体基底进行热回火处理,及以一绝缘层填满沟槽以形成一沟槽隔离区。具有可降低半导体基底发生错排的功效。
申请人: 矽统科技股份有限公司
地址: 台湾省新竹科学园区
发明(设计)人: 陈隆 徐震球
主分类号: H01L21/76
分类号: H01L21/76
  • 法律状态
2015-05-27  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 21/76申请日:20020408授权公告日:20061004终止日期:20140408
2006-10-04  授权
2005-05-11  <变更事项>申请人<变更前权利人>矽统科技股份有限公司<变更后权利人>联华电子股份有限公司<登记生效日>2005.04.08
2005-05-11  <变更事项>地址<变更前权利人>台湾省新竹科学园区<变更后权利人>台湾省新竹科学工业园区<登记生效日>2005.04.08
2003-12-31  
2003-10-22  公开
2002-07-24  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种IC浅沟渠隔绝的方法,其特征是:它包括下列步骤: (1)提供半导体基底; (2)蚀刻该半导体基底,以形成沟槽; (3)于该沟槽内侧形成衬氧化层; (4)以氮气电浆于该衬氧化层的表面上形成氮化表面; (5)对该半导体基底进行热回火处理; (6)以一绝缘层填满该沟槽,以形成沟槽隔离区。
公开号  1450623
公开日  2003-10-22
专利代理机构  北京三友知识产权代理有限公司
代理人  刘朝华
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期