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使用源极沟渠的分离栅极式快闪存储器元件制作方法
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申请号:02106271.4 申请日:2002-04-08
摘要:一种使用源极沟渠的分离栅极式快闪存储器元件制作方法,至少包括下列步骤:形成栅极氧化层于一半导体底材上;形成浮置栅极堆叠于该栅极氧化层上表面,其中该浮置栅极堆叠包括了下层的浮置栅极与上层的绝缘层;形成层间介电层于该栅极氧化层、与该浮置栅极堆叠的外表面;制作控制栅极于该浮置栅极堆叠侧壁外缘的该层间介电层表面上;进行第一次离子植入程序,以形成漏极区域于邻接该浮置栅极堆叠的该半导体底材中;形成光阻于此半导体底材上,并制作图案露出欲掺杂的源极区域表面;蚀刻此欲掺杂的源极区域表面,以形成一沟渠结构;进行第二次离子植入程序,以便在邻接该浮置栅极的该半导体底材中形成源极掺杂;去除光阻;进行热回火;且形成氧化层于源极沟渠表面。
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
地址: 台湾省新竹科学工业园区
发明(设计)人: 谢佳达 郭迪生 林崇荣 朱文定
主分类号: H01L21/8239
分类号: H01L21/8239 H01L21/8246
  • 法律状态
2005-11-23  授权
2003-12-31  
2003-10-22  公开
2002-07-24  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种使用源极沟渠的分离栅极式快闪存储器元件制作方法,其特 征是:该方法至少包括下列步骤: 形成栅极氧化层于一半导体底材上; 形成浮置栅极堆叠于该栅极氧化层上表面,其中该浮置栅极堆叠包括 了下层的浮置栅极与上层的绝缘层; 形成层间介电层于该栅极氧化层、与该浮置栅极堆叠的外表面; 制作控制栅极于该浮置栅极堆叠侧壁外缘的该层间介电层表面上; 进行第一次离子植入程序,以形成漏极区域于邻接该浮置栅极堆叠的 该半导体底材中; 形成光阻于此半导体底材上,并制作图案露出欲掺杂的源极区域表 面; 蚀刻此欲掺杂的源极区域表面,以形成一沟渠结构; 进行第二次离子植入程序,以便在邻接该浮置栅极的该半导体底材中 形成源极掺杂; 去除光阻; 进行热回火制程,扩散源极植入离子达期望分布;且 形成氧化层于源极沟渠表面。
公开号  1450629
公开日  2003-10-22
专利代理机构  北京三友知识产权代理有限公司
代理人  李强
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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