搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

非易失性存储器单元与非易失性存储器阵列及其操作方法
无权-视为撤回
权利转移

申请号:02106243.9 申请日:2002-04-05
摘要:本发明涉及一种非易失性存储器单元(或非易失性存储器阵列),其在相同的高集成密度操作下,一种让非易失性存储器单元具高集成密度、低电压编程及(或)高速编程功能的方法,同样的方法也可编程非易失性存储器阵列。在一基板10表面形成一P阱(p-well)101,并在P阱101表面上定义一形成半导体区的沟道110,通过一第一n+区121与一第二n+区122分隔该沟道,在沟道中一载流子供应部份111与该第一n+区121接触,一载流子加速注入部112则在形成半导体区的沟道110中与该第二n+区122接触,而该载流子供应部份111与该载流子加速注入部112接触。
申请人: 哈娄利公司
地址: 美国纽约州
发明(设计)人: 大仓世纪 林丰
主分类号: H01L27/105
分类号: H01L27/105 H01L27/112 H01L21/8247
  • 法律状态
2006-11-01  
2004-06-30  
2003-10-22  公开
2003-01-01  <变更事项>申请人<变更前权利人>哈罗大规模集成电路设计与装置技术公司<变更后权利人>哈娄利公司<登记生效日>2002.11.08
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种非易失性存储器单元,在基板主要表面形成相异导电类型的第一与 第二杂质区,第一和第二杂质区被一在基板的主要表面内形成一种导电类型的 半导体区的沟道所分隔,一栅电极形成于该形成半导体区的沟道上的栅极绝缘 体上,其中载流子被注入并储存在该栅极绝缘体的载流子捕获装置内,还包括: 一加速电位能提供装置,选择性提供加速电位能至该第一与第二杂质区一 侧的一个输出; 该形成半导体区的沟道包括一载流子供应部份,而载流子加速注入部沿着 载流子传输方向设置; 该载流子供应部份提供载流子至载流子加速注入部,该载流子由该第一与 第二杂质区一侧的另一个输出提供; 由该载流子供应部份提供的载流子,该载流子加速注入部将载流子局部注 入至该栅极绝缘体,其中该栅极绝缘体邻近于该第一与第二杂质区的提供加速 电位能的一个输出。
公开号  1450644
公开日  2003-10-22
专利代理机构  北京三友知识产权代理有限公司
代理人  李辉
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期