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具有沟槽电容的半导体的制造方法
无权-未缴年费

申请号:02106188.2 申请日:2002-04-08
摘要:本发明提供一种具有沟槽电容的半导体的制造方法,包括下列步骤:在一基底中形成一沟槽;在沟槽中,依序形成具有第一既定高度的一玻璃掺杂层与第一介电层;由退火处理将玻璃掺杂层中的n型掺杂物向外扩散至基底中,形成一隐埋板;利用湿蚀刻移除第一介电层与玻璃掺杂层;在沟槽中,依序形成具有大体等于第一既定高度的第二介电层与第一导电层,在沟槽中,在第一导电层上的区域定义为上部区域;并在此形成一U型绝缘层;在上部区域中,自U型绝缘层底部形成一环状导电层;移除未与环状导电层接触的绝缘层,形成一环状绝缘层;并形成一隐埋导电带,填满在上述沟槽中。因此,形成具有低阻抗的隐埋导电带。
申请人: 华邦电子股份有限公司
地址: 台湾省新竹
发明(设计)人: 朱淑卿
主分类号: H01L21/70
分类号: H01L21/70 H01L21/02 H01L21/31 H01L21/3205 H01L21/283 H01G4/00
  • 法律状态
2009-06-10  专利权的终止(未缴年费专利权终止)授权公告日:2005.6.22
2005-06-22  授权
2003-12-31  
2003-10-22  公开
2002-08-21  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种具有沟槽电容的半导体的制造方法,形成具有低阻抗的隐埋导 电带,包括下列步骤: 提供一基底; 在上述基底中,形成一沟槽; 自上述沟槽的底部,形成具有第一既定高度的一玻璃掺杂层,其中上 述玻璃掺杂层具有n型掺杂物; 在上述沟槽中,形成覆盖上述玻璃掺杂层接触的一第一介电层; 由退火处理,将上述玻璃掺杂层中的n型掺杂物向外扩散至上述基底 中,形成一隐埋板; 移除上述第一介电层与上述玻璃掺杂层; 在上述沟槽中,依序形成具有大体等于上述第一既定高度的一第二介 电层与一第一导电层,其中,在上述沟槽中,在上述第一导电层上的区域 定义为一上部区域; 在上述沟槽的上部区域中,形成一U型绝缘层; 在上述沟槽的上部区域中,自上述U型绝缘层底部形成一环状导电层; 移除未与上述环状导电层接触的上述绝缘层,形成一环状的绝缘层; 以及 在上述沟槽中,形成上述隐埋导电带。
公开号  1450620
公开日  2003-10-22
专利代理机构  隆天国际知识产权代理有限公司
代理人  楼仙英
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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