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形成具有低应力无侵蚀区的浅沟渠隔离侧壁氧化层的方法
无权-视为撤回

申请号:02106095.9 申请日:2002-04-10
摘要:本发明揭示一种形成具有低应力无侵蚀区的浅沟渠隔离侧壁氧化层的方法。本发明利用氧与氢氧根进行一原位蒸汽发生制程以在浅沟渠隔离中形成一侧壁氧化层。以本发明的方法形成的侧壁氧化层具有低应力、不会有侵蚀区的现象且反应时间也远比传统热氧化制程短。
申请人: 旺宏电子股份有限公司
地址: 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号
发明(设计)人: 许淑雅
主分类号: H01L21/76
分类号: H01L21/76
  • 法律状态
2005-09-07  
2003-12-31  
2003-10-22  公开
2002-07-03  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种形成浅沟渠隔离侧壁氧化层的方法,其特征在于,至少包含下列 步骤: 提供一底材,该底材具有一于其上的第一介电层及一覆盖该第一介电层 的第二介电层; 形成一沟渠进入该底材;及 执行一原位蒸汽发生制程以氧化该沟渠的曝露表面,该原位蒸汽发生制程 至少包含引入氧与氢氧根。
公开号  1450622
公开日  2003-10-22
专利代理机构  上海专利商标事务所
代理人  任永武
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期