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具有高介电常数的复晶硅栅间介电层的结构及其形成方法
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申请号:02106071.1 申请日:2002-04-10
摘要:一种具有高介电常数的复晶硅栅间介电层的结构及其形成方法,该复晶硅栅间介电层结构至少包括:至少一第一金属氧化层,其中该第一金属氧化层为氧与三价金属所组成的氧化物;至少一第二金属氧化层,其中该第二金属氧化层为氧与三价金属所组成的氧化物;及至少一第三金属氧化层,其中该第三金属氧化层位于该第一金属氧化层与该第二金属氧化层之间,而该第三金属氧化层中所含的金属包含Zr、Hf、Ti或Ta;而该复晶硅栅间介电层的结构的形成方法至少包括下列步骤:形成一第一三价金属氧化层于一复晶硅层上;形成一金属氧化层于该第一三价金属氧化层上;及形成一第二三价金属氧化层于该金属氧化层上。
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
地址: 台湾省新竹科学工业园区
发明(设计)人: 林友民 侯拓宏
主分类号: H01L29/78
分类号: H01L29/78 H01L27/10 H01L21/283 H01L21/316
  • 法律状态
2005-07-13  授权
2003-12-31  
2003-10-22  公开
2002-07-24  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种具有高介电常数的复晶硅栅间介电层的结构,其特征是:该复 晶硅栅间介电层位于二个复晶硅层之间,该复晶硅栅间介电层结构至少包 括: 至少一第一金属氧化层,其中该第一金属氧化层为氧与三价金属所组 成的氧化物; 至少一第二金属氧化层,其中该第二金属氧化层为氧与三价金属所组 成的氧化物;及???? 至少一第三金属氧化层,其中该第三金属氧化层位于该第一金属氧化 层与该第二金属氧化层之间,而该第三金属氧化层中所含的金属包含Zr、Hf、 Ti或Ta。
公开号  1450654
公开日  2003-10-22
专利代理机构  北京三友知识产权代理有限公司
代理人  李强
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期