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紫外线程序化的P型罩幕式只读存储器及其制造方法
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申请号:02106042.8 申请日:2002-04-09
摘要:一种紫外线程序化的P型罩幕式只读存储器及其制造方法,是先提高所有存储单元的起始电压,使所有存储单元均处于难以导通的第一逻辑状态(0或1),以避免位线之间发生漏电流。然后,待位线与字符线形成后,使用紫外线照射欲储存第二逻辑值(1或0)的存储单元,使电子注入其中的氮化层,以进行程序化。
申请人: 旺宏电子股份有限公司
地址: 台湾省新竹科学工业园区力行路16号
发明(设计)人: 郭东政 刘建宏 潘锡树 黄守伟
主分类号: H01L27/112
分类号: H01L27/112 H01L21/8246
  • 法律状态
2006-07-05  授权
2004-09-15  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种紫外线程序化的P型罩幕式只读存储器,其特征是,该 只读存储器包括: 一浓掺杂井位于一基底中; 多条位线位于该浓掺杂井中; 一绝缘层位于该些位线上; 多条字符线横跨于该些位线上,该些字符线下方的该些位线之间 的该基底作为多个存储单元; 一电荷陷入层位于该些字符线与该浓掺杂井之间;以及 一紫外线阻挡层位于该基底上,该紫外线阻挡层具有多个开口位 于部分的该些存储单元上,且该部分的该些存储单元是以紫外线写 入。
公开号  1450646
公开日  2003-10-22
专利代理机构  北京集佳专利商标事务所
代理人  王学强
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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