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利用离子植入方法制作混合电路元件电容器的方法
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申请号:02105962.4 申请日:2002-04-10
摘要:一种利用离子植入方法制作混合电路元件电容器的方法。此方法先在已形成隔离区的硅基底上形成一层多晶硅层,接着对多晶硅层进行一离子植入步骤,将氧离子植入多晶硅层中的设定深度,随后进行回火步骤,使植入多晶硅层的氧离子与硅离子产生反应,而于多晶硅层中形成一层氧化硅层。最后,定义氧化硅层与多晶硅层,使氧化硅层上的多晶硅层作为电容器上电极与氧化硅层下的多晶硅层作为电容器下电极,以完成混合电路元件的电容器。
申请人: 旺宏电子股份有限公司
地址: 台湾省新竹科学工业园区力行路16号
发明(设计)人: 刘建宏 黄守伟 潘锡树
主分类号: H01L21/70
分类号: H01L21/70 H01L21/265 H01L21/28 H01L21/31 H01L21/3205
  • 法律状态
2006-11-22  授权
2004-09-15  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种利用离子植入方法制作混合电路元件其电容器的方法,其 特征为:包括: 提供一基底; 于该基底上形成一多晶硅层; 对该多晶硅层进行一离子植入步骤,以植入氧离子于该多晶硅层 中; 进行回火工艺,使该多晶硅层中的硅离子与氧离子产生反应,而 于该多晶硅层中形成一氧化硅层;以及 定义该氧化硅层与该多晶硅层,使该氧化硅层上的该多晶硅层作 为该电容器的一上电极与该氧化硅层下的该多晶硅层作为该电容器的 一下电极。
公开号  1450619
公开日  2003-10-22
专利代理机构  北京集佳专利商标事务所
代理人  王学强
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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