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P型氮化硅只读存储器器件的初始化方法
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申请号:02105961.6 申请日:2002-04-10
摘要:一种P型氮化硅只读存储器器件的初始化方法,此方法为提供一P型氮化硅只读存储器器件后,以紫外光均匀照射该P型氮化硅只读存储器器件,使电子陷入均匀分布于该P型氮化硅只读存储器器件的一氮化硅层中而使该P型氮化硅只读存储器器件均匀程序化至低起始电压(Low|Vt|)的状态下,而达到器件初始化的效果。
申请人: 旺宏电子股份有限公司
地址: 台湾省新竹科学工业园区力行路16号
发明(设计)人: 刘建宏 黄守伟 潘锡树
主分类号: H01L21/8246
分类号: H01L21/8246 H01L21/324
  • 法律状态
2006-06-14  授权
2004-09-15  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种P型氮化硅只读存储器的初始化的方法,其特征在于: 该方法包括: 提供一P型氮化硅只读存储器器件,该P型氮化硅只读存储器器 件是以一氮化硅层作为一浮栅; 以紫外光均匀照射该P型氮化硅只读存储器器件,使电子陷入均 匀分布于该P型氮化硅只读存储器器件的该氮化硅层中,使该P型氮 化硅只读存储器器件均匀程序化至低起始电压的状态下,而达到器件 初始化的效果。
公开号  1450630
公开日  2003-10-22
专利代理机构  北京集佳专利商标事务所
代理人  王学强
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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