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形成低介电常数介电层的方法及导电内连线结构
有权
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申请号:02105938.1 申请日:2002-04-09
摘要:一种形成低介电常数介电层的方法,包含形成绝缘层于底层之上,然后刻绝缘层以形成开口于其中。之后形成导电层于绝缘层之上并回填于该开口,且平坦化该导电层,以形成导电结构于其中。扩散导电层的金属离子进入该绝缘层用以降低其介电常数,其中上述导电层包含铜材质,上述绝缘层包含环状碳氢聚合物(aromatic hydrocarbon polymer)。
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
地址: 台湾省新竹科学工业园区
发明(设计)人: 章勋明 余振华 梁孟松
主分类号: H01L21/768
分类号: H01L21/768 H01L21/3115 H01L23/52
  • 法律状态
2006-03-01  授权
2003-12-31  
2003-10-22  公开
2002-07-24  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种形成低介电常数介电层的方法,该方法包含: 形成绝缘层于底层之上; 蚀刻该绝缘层以形成开口于其中; 形成导电层于该绝缘层之上; 平坦化该导电层,以形成导电结构于该开口之中;及 扩散该导电层的金属离子进入该绝缘层用以降低其介电常数。
公开号  1450624
公开日  2003-10-22
专利代理机构  北京三友知识产权代理有限公司
代理人  黄志华
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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