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形成隔离元件时消除应力与损伤的方法
无权-视为撤回

申请号:02105884.9 申请日:2002-04-09
摘要:本发明提供一种于一沟槽隔离元件形成时消除应力与损伤的方法,至少包括:提供一半导体底材;蚀刻半导体底材以形成一沟槽结构;及退火处理,例如以高温退火或快速热退火方式处理沟槽结构,借以消除沟槽结构的应力,达到避免半导体元件可靠度降低的目的。也可在形成一侧壁氧化层于沟槽结构的一侧壁上后,退火处理侧壁氧化层,借以消除沟槽结构的氧化层所产生的应力。
申请人: 旺宏电子股份有限公司
地址: 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号
发明(设计)人: 许淑雅
主分类号: H01L21/76
分类号: H01L21/76 H01L21/324
  • 法律状态
2005-09-07  
2003-12-31  
2003-10-22  公开
2002-07-10  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种应用于一沟槽隔离元件形成时消除应力与损伤的方法,其特征在 于,包括: 提供一半导体底材; 蚀刻该半导体底材以形成一沟槽结构;及 退火处理该沟槽结构,借以消除该沟槽结构的应力。
公开号  1450621
公开日  2003-10-22
专利代理机构  上海专利商标事务所
代理人  任永武
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期