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复合光致抗蚀剂层结构
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申请号:02105820.2 申请日:2002-04-11
摘要:本发明提供一种复合光致抗蚀剂层结构,该复合光致抗蚀剂层结构包含有一第一有机层,设置在一待蚀刻面上;一牺牲层,设于该第一有机层上;以及一第二有机层,设于该牺牲层上。其中该第一有机层利用易于用等离子体去除的有机材料所构成,以避免在一图案转印过程中损伤该待蚀刻面。
申请人: 联华电子股份有限公司
地址: 台湾省新竹科学工业园区
发明(设计)人: 黄瑞祯
主分类号: H01L21/027
分类号: H01L21/027 H01L21/312 G03F7/09
  • 法律状态
2007-05-16  授权
2003-12-31  
2003-10-22  公开
2002-07-10  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种复合光致抗蚀剂层结构,包括: 一第一有机层,设于一待蚀刻面上; 一牺牲层,设于该第一有机层上;以及 一第二有机层,设于该牺牲层上。
公开号  1450595
公开日  2003-10-22
专利代理机构  北京市柳沈律师事务所
代理人  陶凤波 侯宇
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期