搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

形成隔离装置的方法
有权
阅读授权文献

申请号:02103509.1 申请日:2002-02-05
摘要:本发明提供一种形成隔离装置的方法,是一种在具有变形硅(strained-Si)层的硅锗(SiGe)基底上形成隔离装置的方法;首先,提供一半导体基底,此半导体基底为硅锗基底,在半导体基底表面依序形成一第一垫层及硬罩幕层;接着,微影并蚀刻形成第一垫层及硬罩幕层的半导体基底以形成复数沟槽;然后在复数沟槽内壁形成一第二垫层,并沉积一沉积层以填满沟槽;接着依序移除硬罩幕层及第一垫层,以露出半导体基底表面;最后于露出的半导体基底上形成变形硅(strained-Si)层;借由本发明可有效避免变形硅与硅锗基底的间键结断键,以及锗原子扩散至变形硅层中,进而达到提升半导体基底品质的目的。
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
地址: 台湾省新竹科学工业********(隐藏)
发明(设计)人: 林俊杰 史望澄
主分类号: H01L21/76
分类号: H01L21/76
  • 法律状态
2005-03-02  授权
2003-11-05  
2003-08-20  公开
2002-06-12  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种形成隔离装置的方法,包括下列步骤: 提供一半导体基底; 于该半导体基底表面依序形成一第一垫层及硬罩幕层; 微影蚀刻形成有该第一垫层及该硬罩幕层的该半导体基底以形成复 数沟槽; 在该等复数沟槽内壁形成一第二垫层; 沉积一沉积层以填满该沟槽; 依序移除该硬罩幕层及该第一垫层,以露出该半导体基底表 面;及 于露出的该半导体基底上形成变形硅层。
公开号  1437242A
公开日  2003-08-20
专利代理机构  北京三友知识产权代理有限公司
代理人  黄志华
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期