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在同一蚀刻室进行介层窗蚀刻的方法
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Mesolayer window etching process in the identical etching chamber

申请号:02103189.4 申请日:2002-02-04
摘要:一种在同一蚀刻室进行介层窗蚀刻的方法,是提供一具有一介电层的基底,并于介电层上形成具有一开口的图案化罩幕。然后于一蚀刻室中,以图案化罩幕作为蚀刻罩幕,对介电层施行一蚀刻工艺,以于介电层中形成一介层窗洞。随后,于同一蚀刻室中进行氧处理工艺,以去除接近介层窗洞的部分图案化罩幕,而介层窗洞仍保持其轮廓。接着,于同一蚀刻室中,以剩余的图案化罩幕作为蚀刻罩幕,对介电层施行一蚀刻工艺,以扩大介层窗洞的上部。因此可于同一蚀刻室中完成介层窗蚀刻工艺,以节省工艺时间。
Abstract: The mesolayer window etching process in the identical etching chamber includes providing one substrate with dielectric layer, forming one pattern mask with opening on the dielectric layer, etching the dielectric layer in the etching chamber with pattern mask as etching mask to form mesolayer window in the dielectric layer; oxygen treating in the identical etching chamber to eliminate partial pattern mask near the mesolayer window while maintaining the contour of the mesolayer window; and etching the dielectric layer in the same etching chamber with the residual pattern mask as etching mask toexpand the upper part of the mesolayer window. The mesolayer window etching process in the identical etching chamber has saving time technological period.
申请人: 旺宏电子股份有限公司
Applicant: WANGHONG ELECTRONICS CO LTD[CN]
地址: 台湾省新竹科学工业********(隐藏)
发明(设计)人: 邱建智 朱倍宏
Inventor: QIU JIANZHI[CN]; ZHU PEI HONG[CN]
主分类号: H01L21/311
分类号: H01L21/311
  • 法律状态
2006-02-01  授权
2004-09-15  
2003-08-20  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种在同一蚀刻室进行介层窗蚀刻的方法,其特征为:包括: 提供一基底,于该基底上已依序形成有一介电层与一图案化罩幕; 以该图案化罩幕为罩幕,于一蚀刻室中非等向性蚀刻该介电层, 以形成一介层窗洞; 于该蚀刻室中撤移部分该图案化罩幕中紧邻该介层窗洞的部分, 且该介层窗洞的轮廓仍维持不变;以及 以剩余的该图案化罩幕为罩幕,于该蚀刻室中蚀刻该介层窗洞上 部的该介电层。
公开号  1437227A
公开日  2003-08-20
专利代理机构  北京集佳专利商标事务所
代理人  王学强
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 附加信息
同族专利
CN1240114C
 
引用文献
 
被引用文献
CN105950923A