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脉冲电压在等离子体反应堆中的应用
有权
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申请号:01814209.5 申请日:2001-08-17
摘要:一种在一部分高压功率偏置振荡循环期间向半导体衬底基座提供正电压尖峰的方法和设备,可以减小或消除特征充电在等离子体反应堆工作期间所产生的不利影响。
申请人: 微米技术股份有限公司
地址: 美国爱达荷州
发明(设计)人: K·G·多诺霍
主分类号: H01J37/32
分类号: H01J37/32
  • 法律状态
2008-11-12  授权
2003-12-31  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种等离子体反应堆,其特征在于,包括含支承半导体衬底的基座的 反应腔,以及与所述基座电气连接的电源,其中所述电源适于向所述基座提供 电压尖峰。
公开号  1451172
公开日  2003-10-22
专利代理机构  上海专利商标事务所
代理人  李玲
颁证日  
优先权  2000.8.17 US 09/640.449
国际申请  PCT/US01/25742 2001.8.17
国际公布  WO02/15222 英 2002.2.21
进入国家日期  2003.02.14