搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅能选择性蚀刻掺杂二氧化硅的蚀刻剂,其使用方法和形成的结构
有权
阅读授权文献

申请号:01812321.X 申请日:2001-07-05
摘要:一种包含C2HxFy蚀刻剂,其中x是2-5的整数,y是1-4的整数,x+y等于6。该蚀刻剂能以相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅的选择性蚀刻掺杂的二氧化硅。因此,在使用含C2HxFy的蚀刻剂的干蚀刻法中,可使用未掺杂二氧化硅和氮化硅作为蚀刻终止层。C2HxFy可用作主蚀刻剂或用作另一种蚀刻剂或蚀刻剂混合物中的添加剂。还公开了包括按照本发明方法使用本发明蚀刻剂进行图形化的结构的半导体器件(10)。具体而言,本发明提供一个半导体器件(10),该器件包括具有基本垂直的侧壁(34)和相邻于侧壁(34)露出的相邻未掺杂二氧化硅或氮化硅结构(36)的垂直二氧化硅结构(24)。
申请人: 微米技术股份有限公司
地址: 美国爱达荷州
发明(设计)人: K·Y·郭 L·李 G·T·布莱洛克
主分类号: H01L21/311
分类号: H01L21/311
  • 法律状态
2005-07-20  授权
2003-12-31  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种半导体器件,包括: 包括活性表面的半导体基材; 在所述半导体基材上的至少一个未掺杂硅氧化物结构; 至少一个掺杂的硅氧化物结构,至少部分地位于所述至少一个未掺杂硅氧化物 结构之上,包括至少一个取向基本垂直于所述基材平面的侧壁、所述至少一个侧壁 终结于所述至少一个未掺杂的硅氧化物结构,所述活性表面在侧面靠近所述至少一 个侧壁上至少部分露出。
公开号  1451176
公开日  2003-10-22
专利代理机构  上海专利商标事务所
代理人  周承泽
颁证日  
优先权  2000.7.5 US 09/610,049
国际申请  PCT/US01/41275 2001.7.5
国际公布  WO02/03439 英 2002.1.10
进入国家日期  2003.01.03