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热敏熔断器
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申请号:01811226.9 申请日:2001-07-18
摘要:本发明的目的是提供一种即使当与热敏熔断器接触的装置的温度逐渐升高时也不会出现活动电极(4)和导线熔融接触且在导电时电阻小的热敏熔断器。为了这一目的,本发明提供一种在操作温度下熔化热敏材料(7)以释放压缩弹簧(9),分离由于压缩弹簧(9)使之处于受压接触的活动电极(4)和导线(2)来截断电流的热敏熔断器,其中上述活动电极(4)的材料是通过内部氧化处理含有99~80重量份Ag和1~20重量份Cu的合金获得的,该材料表面氧化物颗粒薄层的厚度小于5微米,材料中氧化物颗粒的平均直径为0.5~5微米。
申请人: NEC修特元件株式会社 株式会社德力本店
地址: 日本滋贺县
发明(设计)人: 宫下育博 吉川时弘 西岛道彦 汲田英生
主分类号: H01H37/76
分类号: H01H37/76 C22C5/06 H01H1/02
  • 法律状态
2005-08-31  授权
2003-12-31  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种热敏熔断器,它在操作温度下熔化热敏材料(7)以释放压缩弹簧(9), 并通过压缩弹簧(9)的扩张分离在压缩弹簧(9)作用下处于受压接触的活动电极(4) 和导线(2)来截断电流,其中上述活动电极(4)的材料是通过内部氧化处理含有 99~80重量份Ag和1~20重量份Cu的合金获得的,该材料表面氧化物颗粒薄层 的厚度至多为5微米,材料中氧化物颗粒的平均直径为0.5~5微米。
公开号  1451167
公开日  2003-10-22
专利代理机构  上海专利商标事务所
代理人  沙永生
颁证日  
优先权  
国际申请  PCT/JP01/06257 2001.7.18
国际公布  WO03/009323 日 2003.1.30
进入国家日期  2002.12.16