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增加透明导电层电导率的方法
无权-未缴年费

申请号:01804306.2 申请日:2001-11-29
摘要:一种增加透明导电层电导率的方法,其中对透明层成型的光阻材料层具有带锥度的边缘并被部分腐蚀。部分腐蚀使被选择性地覆盖的下面的透明导电体的边缘区域暴露。本方法有一个对透明层单独成型的阶段,但使用对有锥度的光阻层的部分腐蚀,以便暴露透明层的小边缘区域,用导电层(可以是不透明的)覆盖。
申请人: 皇家菲利浦电子有限公司
地址: 荷兰艾恩德霍芬
发明(设计)人: I·D·弗伦奇 P·J·范德扎阿格
主分类号: G02F1/1362
分类号: G02F1/1362 G02F1/1345 H01B1/08
  • 法律状态
2008-01-30  专利权的终止(未缴年费专利权终止)授权公告日:2006.4.19
2006-04-19  授权
2004-02-25  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种增加透明导电层电导率的方法,包括: 将光阻材料层沉积和成型为与透明导电层所希望的样式对应的形 状;和 利用光阻材料层将透明导电层成型,其中光阻材料层的边缘区域 有锥度,该方法进一步包括以下步骤: 将光阻材料层部分腐蚀,使得至少部分的边缘区域被完全除去, 从而露出下面的透明导电层; 利用金属层将透明导电层的暴露部分有选择地覆盖。
公开号  1451102
公开日  2003-10-22
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司
代理人  栾本生 梁永
颁证日  
优先权  2000.12.1 GB 0029315.9
国际申请  PCT/EP01/14215 2001.11.29
国际公布  WO02/44805 英 2002.6.6
进入国家日期  2002.07.31