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半导体器件的制造方法
无权-未缴年费

Production method for semiconductor device

申请号:00819227.8 申请日:2000-12-28
摘要:本发明涉及一种吸杂效率优异的半导体器件制造方法。当借助于将磷加入到多晶硅膜中,该膜通过加入金属已被结晶,然后热处理得到的多晶硅膜而进行吸杂时,它在用于注入磷的多晶硅膜上提供了新颖设计的小岛状绝缘膜形状。由此,加入了磷的区域与未加入磷的区域之间的边界表面的面积被增大,从而提高了吸杂效率。
Abstract:
申请人: 株式会社半导体能源研究所
Applicant: SEMICONDUCTOR ENERGY LAB[JP]
地址: 日本神奈川县厚木市
发明(设计)人: 中村理 胜村学 山崎舜平
Inventor: OSAMU NAKAMURA[JP]; MANABU KATSUMURA[JP]; SHUNPEI YAMAZAKI[JP]
主分类号: H01L21/20
分类号: H01L21/20
  • 法律状态
2018-12-14  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 21/20申请日:20001228授权公告日:20060712终止日期:20171228
2006-07-12  授权
2003-11-05  
2003-08-20  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种制造半导体器件的方法,它包含下列步骤: 制作具有包含硅作为主要成分的非晶结构的半导体薄膜的过程; 将金属加入到所述具有非晶结构的半导体薄膜的步骤; 利用第一热处理,将所述具有非晶结构的半导体薄膜转变成包含 硅作为主要成分的结晶半导体薄膜的过程; 形成小岛状绝缘膜的过程; 以所述小岛状绝缘膜作为掩模,将非金属元素或非金属元素的离 子加入到所述结晶半导体薄膜,以形成其中非金属元素或非金属元素 的离子已经被加入到所述结晶半导体薄膜的区域的过程;以及 对所述结晶半导体薄膜进行第二热处理,以便将所述金属吸杂到 已经加入了所述非金属元素或所述非金属元素的离子的区域的过程, 其中表面平行于所述结晶半导体薄膜表面的所述小岛状绝缘膜的 形状是具有n(n>20)个顶点的多角形,也是具有m(m>8)个顶点的 多角形,每个多角形中的内角等于或大于180度。
公开号  1437761A
公开日  2003-08-20
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司
代理人  吴立明 梁永
颁证日  
优先权  1999.12.28 JP 375607/1999
 
国别 优先权号 优先权日 类型
JP  375607/99  19991228 
国际申请  PCT/JP00/09430 2000.12.28
国际公布  WO01/48797 日 2001.7.5
进入国家日期  2002.08.28
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
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R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 附加信息
同族专利
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CN100530542CCN1264199CCN1722368A
AU2231201ATW473800B
 
引用文献
US5700333AUS5814924AUS5897347A
US5915174AUS5961743AUS5970366A
US6066518AUS6072193AUS6087679A
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被引用文献
US10038040B2US10096795B2US10199612B2
US10236320B2US10236331B2US10276621B2
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