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在含有非氮化镓柱体的基板上制造氮化镓半导体层,并由此制造氮化镓半导体结构的方法
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申请号:00818903.X 申请日:2000-08-22
摘要:基板上含有许多非氮化镓柱体,柱体之间有沟槽,柱体限定出了沟槽的界限;其中非氮化镓柱体包括非氮化镓材料侧壁和非氮化镓材料顶面,沟槽包括非氮化镓材料底面。氮化镓生长在非氮化镓柱体上,包括生长在柱体的顶面上。理想的情况是,金字塔形氮化镓生长在非氮化镓柱体的顶面上,然后氮化镓生长在金字塔形的氮化镓上面。理想的情况是,金字塔形氮化镓在第一温度下生长,然后氮化镓在高于第一温度的第二温度下生长。理想的情况是,第一温度在1000℃左右或低于1000℃,第二温度位于1100℃左右或高于1100℃。但理想的情况是,除温度外,这两个生长步骤所使用的工艺条件是相同的。理想的情况是,在金字塔形氮化镓上方所生长出来的氮化镓连接起来形成连续的氮化镓层。因此,在氮化镓生长过程中无需形成掩模。再者,氮化镓的生长除温度变化之外使用的是相同的工艺条件。因此,氮化镓可以进行不间断的生长。
申请人: 北卡罗来纳州大学
地址: 美国北卡罗来纳州
发明(设计)人: 罗伯特·F·戴维斯 凯文·J·林斯卡姆 托马斯·杰赫克
主分类号: H01L21/20
分类号: H01L21/20
  • 法律状态
2006-03-29  授权
2003-12-31  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.制造氮化镓半导体结构的方法,该方法包括如下步骤: 提供含有许多非氮化镓柱体基板,柱体之间有沟槽,柱 体限定出了沟槽的界限;其中非氮化镓柱体包括非氮化镓 侧壁和非氮化镓顶面,沟槽包括非氮化镓底面; 使氮化镓在非氮化镓柱体上生长,包括在柱体的顶面上 生长。
公开号  1451173
公开日  2003-10-22
专利代理机构  永新专利商标代理有限公司
代理人  过晓东
颁证日  
优先权  2000.2.9 US 09/501,057
国际申请  PCT/US00/40724 2000.8.22
国际公布  WO01/59819 英 2001.8.16
进入国家日期  2002.08.09