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平面混合式二极管整流桥
无权-未缴年费

申请号:00815330.2 申请日:2000-10-26
摘要:本发明披露了一种混合式半导体器件,该混合式半导体器件包括4个相同的分别具有上表面和下表面的半导体二极管芯片。将每个二极管芯片分别安装到全部位于公共平面内的相应安装焊盘上,为了便于组装,以相同上下方向安装4个二极管芯片,例如,下表面向下电连接到安装焊盘。在一个实施例中,各二极管芯片的安装焊盘和器件的各端子与一个引线架(“部件”)的引线做成一体,并且各二极管芯片的各个电连接器包括在将二极管芯片安装到引线架上之后附加到工件上的接合引线或印模金属跨接片。可以将金属跨接片设置到与部件引线架配合使用的分离“跨接片”引线架上,或者跨接片包括一个部件引线架的部分引线。此外,还披露了印刷电路板实施例。
申请人: 通用半导体公司
地址: 美国纽约
发明(设计)人: 玛丽·吉洛特
主分类号: H01L25/07
分类号: H01L25/07 H01L23/495
  • 法律状态
2011-02-09  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 25/07申请日:20001026授权公告日:20070718终止日期:20091126
2007-07-18  授权
2003-12-31  
2003-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种制造包括4个大致相同的半导体二极管芯片的半导体器 件的方法,每个所述二极管芯片具有上表面和下表面,该方法包括步 骤:a)以下表面向下、电接触相应芯片安装焊盘的形式,安装所述4 个芯片,第一所述安装焊盘与第二所述安装焊盘互相一体连接在一 起,从而使分别安装在第一安装焊盘和第二安装焊盘的第一芯片和第 二芯片的下表面互联;b)将第三安装焊盘上安装的第三芯片的上表面 与第四安装焊盘上安装的第四芯片的上表面电互联;c)将所述第三安 装焊盘和所述第四安装焊盘分别与所述第一芯片和所述第二芯片的上 表面电互联;d)将第一器件端子电连接到所述第一互联接焊盘和所述 第二互联接焊盘;e)将第二器件端子和第三器件端子分别与所述第三 安装焊盘和第四安装焊盘电互联;以及f)将第四器件端子与电互联的 所述第三芯片和所述第四芯片的上表面之一电互联。
公开号  1451180
公开日  2003-10-22
专利代理机构  中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人  谷惠敏 袁炳泽
颁证日  
优先权  1999.11.1 US 09/430,875
国际申请  PCT/US00/29926 2000.10.26
国际公布  WO01/33632 英 2001.5.10
进入国家日期  2002.05.08